Ram都可以3D打印？！全球首個3D DDR4 Ram量產！

這是主要面向服務器應用的RDIMM條子，上有多達36顆DDR4 DRAM內存顆粒，每一個都封裝了4個4Gb(512MB) DDR4 DRAM芯片，單顆容量2GB，並採用三星先進的2xnm工藝製造，不過三星並未公佈頻率、電壓等規格。如此高的密度要感謝TSV技術。這是一種穿透矽晶圓或芯片的垂直互連方式，可將多個芯片堆疊起來，提升容量和性能。

三星在2010年的4xnm 8GB內存上就首次使用了TSV，2011年又完成了3xnm 32GB，現在是第一次用於DDR4。事實上，隨著半導體集成度的提高，很多地方都紛紛開始了3D堆疊，三星此前就宣布已經投產第二代3D V-NAND立體閃存，創下存儲密度新​​高。