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話咁快到SSD末日來了!

2017-01-17 8806
俄羅斯衛星新聞網1月16日報導,俄羅斯遠東聯邦大學科研工作者奧列格•特列季亞科夫作為俄日美德國際研究團隊的一員,發現斯格明子霍爾效應(skyrmion Hall effect),這使得製造更高速、廉價、可靠、非易失性的電子儲存器成為可能!


科學家們的工作成果發佈在《自然•物理學》(Nature physics)雜誌上。奧列格•特列季亞科夫稱,「斯格明子」可能是未來磁存儲技術的基礎。


斯格明子的間距可僅為幾納米,與此同時,現代硬碟的磁疇最少為100納米。此外,以斯格明子為基礎的記憶甚至可在缺少電源的情況下保存信息。



特列季亞科夫的同事、俄羅斯遠東聯邦大學的亞歷山大•薩馬爾達克解釋說,現在科學家們已在基於斯格明子研發新的數據儲存和處理系統。這樣的儲存器元件造價更低,並且工作速度更快,更可靠。未來它們可用於生產電腦、智能手機以及能夠長時間工作無需充電的傳感器。


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