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現在有消息稱,三星的Galaxy S8有可能會採用8GB記憶體和UFS 2.1閃存芯片,而今年的10月份,他們就曾發佈公告稱,基於10nm工藝的首款8GB LPDDR4 DRAM成片。
需要注意的是,昨天產業鏈給出的消息稱,三星、台積電目前都面臨一個問題,那就是10nm工藝良品率太低,而面對Galaxy S8這樣的產能,如果良品率不改善,恐怕8GB記憶體要等到Note 8上才能看到了。
另外,據說Galaxy S8將會推出兩個版本(雙曲面屏幕),一個配備5寸屏幕,其二則放大到6寸左右,並且有個單獨的名字叫Galaxy S8 Plus,兩者的Home鍵都要被移除,這樣的效果就是6寸的S8 Plus會比5.7寸的Note 7還要小。