為了提升服務質素,我們會使用Cookie或其他類似技術來改善使用者的閱讀體驗。如想了解更多請到這裡>。如果接受請點確認按鈕進入網站。
這五代工藝分別是Intel 7、Intel 4、Intel 3、Intel 20A及Intel 18A,其中Intel 7是去年12代Core上首發的工藝製程,13代Core也會繼續沿用。明年則會升級至Intel 4,首次支持EUV光刻工藝。
真正在工藝上再次領先的是20A及18A兩代工藝製程,從20A開始進入埃米級節點,放棄FinFET晶體管,改用GAA晶體管,相當於友商的2nm、1.8nm水平。
Intel 表示也會在20A、18A上首發兩大突破性技術,即RibbonFET和PowerVia。
其中RibbonFET是Intel 對Gate All Around晶體管的實現,它將成為公司自2011年率先推出FinFET以來的首個全新晶體管架構。該技術加快了晶體管開關速度,同時實現與多鰭結構相同的驅動電流,但佔用的空間更小。PowerVia是Intel 獨有的、業界首個背面電能傳輸網絡,通過消除晶圓正面供電佈線需求來優化信號傳輸。
在這次創新大會上,Intel CEO格爾辛格還透露了18A工藝的最新進展,今年底將會有首款晶片試產。