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Ram都可以3D打印?!全球首個3D DDR4 Ram量產!

2014-08-27 3173
三星電子今天宣布,已經開始批量投產全球第一款採用3D TSV立體矽穿孔封裝技術打造的DDR4內存條,單條容量高達64GB!

 

這是主要面向服務器應用的RDIMM條子,上有多達36顆DDR4 DRAM內存顆粒,每一個都封裝了4個4Gb(512MB) DDR4 DRAM芯片,單顆容量2GB,並採用三星先進的2xnm工藝製造,不過三星並未公佈頻率、電壓等規格。如此高的密度要感謝TSV技術。這是一種穿透矽晶圓或芯片的垂直互連方式,可將多個芯片堆疊起來,提升容量和性能。

 

三星在2010年的4xnm 8GB內存上就首次使用了TSV,2011年又完成了3xnm 32GB,現在是第一次用於DDR4。事實上,隨著半導體集成度的提高,很多地方都紛紛開始了3D堆疊,三星此前就宣布已經投產第二代3D V-NAND立體閃存,創下存儲密度新​​高。

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