台積電危已被三星超越 量產3nm晶片

這意味著，在新一代晶片製程的節點上，三星成功實現了對台積電的超越，搶先拿下了3nm晶片市場頭籌。

根據三星官方介紹，在3nm晶片上，其放棄了之前的FinFET架構，採用了新的GAA晶體管架構，大幅改善了晶片的功耗表現。

與5nm相比，新開發的3nm製程能夠降低45%的功耗，減少16%的面積，並同時提升23%的性能。不過，雖然在3nm製程上三星拔得頭籌，但這並不代表三星在晶片代工市場上就能夠一帆風順。

一方面，台積電正在計劃於2025年實現2nm晶片的量產，這意味著三星方面需要加緊新技術的研發工作，以防在下一代新技術上被台積電反超。

另一方面，由於4nm製程晶片的功耗問題，高通等重要客戶對三星的3nm製程目前都保持觀望態度，不敢隨意進行嘗試。

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