Micron 展示全球首款 512GB DDR5　速度高達 9200 MT/s

這款 512GB DDR5 RDIMM 採用垂直堆疊方式配置 DRAM 晶片，並透過矽穿孔（TSV）技術互相連接，從而在單一模組內提供更高記憶體密度。以配備 24 個 DIMM 插槽的伺服器計算，全數安裝 512GB 模組後，單台系統最高可以提供 12TB DDR5 記憶體容量。

除了容量提升，Micron 亦強調新模組在功耗方面的優勢。根據公司測試，一條 512GB RDIMM 功耗為 16W，而四條 128GB 模組在相同 512GB 總容量下合共需要 44.2W，意味新方案可以將功耗降低超過 60%。

Micron 表示，這類高容量記憶體主要面向企業數據中心及雲端系統，可應付 AI、數據分析、記憶體內資料庫，以及需要大量系統記憶體的模擬工作。對於受記憶體頻寬限制的 Spark SVM 分析工作，新 512GB RDIMM 相比 256GB DDR5 配置，效能最高可提升至 1.4 倍。

今次 512GB 型號亦可視為 Micron 早前 256GB DDR5 RDIMM 的進一步發展。256GB 型號同樣支援最高 9200 MT/s，並使用 Micron 1-gamma DRAM 及 3D 晶片堆疊技術。

Micron 計劃於 2027 年開始量產 512GB DDR5 RDIMM，目前尚未公布產品價格。

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