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三星已著手DDR6頻率1倍於DDR5

2021-11-21 1913
目前DDR5才隨Intel的12代上市不久,三星已經在表示他們已經在開發下一代的DDR6,在一年一代的技術日活動上,三星透露了DDR6、GDDR6+、GDDR7和HBM3等下一代內存技術的信息。

目前DDR5還處於生命週期的初期,頻率普遍不是很高,不過隨著時間的推移頻率是會慢慢上去的,三星認為在不久的將來DDR5的頻率就會提升到JEDEC標準的6400Mbps,而超頻條的頻率可達到8400Mbps。三星認為未來的DDR6內存的JEDEC標準會達到12800Mbps,而超頻條的頻率可能會到17000Mbps,甚至可能會突破20000Mbps。


而下一代的DDR6已經在早期開發階段,未來用於取代DDR5,當然預計至少在2025到2026年後才會推出,DDR4內存至少用了6年,而DDR5到DDR6估計也會差不多的時間。

顯示卡RAM方面,三星透露了速度更快的GDDR6+計劃,用於取代現有的GDDR6,三星計劃在本月採用1znm開始試產GDDR6+,它的頻率能到24Gbps,並會成為下一代GPU的配置,如果真能達到此頻率的話擁有320/352/384bit顯存位寬的顯示卡RAM帶寬就能超過1TB/s,而256bit的GPU的帶寬也能到768GB/s。


至於新一代的GDDR7顯示卡RAM,預計可提供高達32Gbps的傳輸速度,並且會支持實時錯誤保護技術,但三星並沒有對其進行詳細說明。而HBM3 RAM,三星計劃會在2022年第二季度開始投產,並表示速度會是800GB/s,將會用在未來的HPC和數據中心GPU/CPU系統中。


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