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AMD 發表 EXPO-ULL 記憶體技術 遊戲 FPS 最多提升 13%

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AMD 發表 EXPO-ULL 記憶體技術 遊戲 FPS 最多提升 13%
AMD 在 Computex 2026 期間正式發表全新 DDR5 記憶體超頻技術 AMD EXPO Ultra Low Latency(EXPO-ULL)。這項新技術建基於現有 AMD EXPO 標準之上,目標是在 6000 MT/s 與 6400 MT/s DDR5 記憶體模組上進一步壓低延遲,為 Ryzen 平台帶來更穩定及流暢的遊戲體驗。

根據 AMD 介紹,EXPO-ULL 主要針對記憶體時序進行最佳化,而非單純提升記憶體頻率。對於一般玩家而言,啟用支援 EXPO-ULL 的 DDR5 記憶體後,便可在無需手動調整 BIOS 的情況下,獲得更低延遲及更穩定的幀率表現。

AMD 表示,新技術可將記憶體延遲降低約 5 至 7 奈秒,進一步改善遊戲中的 Frame Time 表現,令畫面輸出更平順。

遊戲測試最高提升 13% FPS

為了展示 EXPO-ULL 的實際效益,AMD 使用 Ryzen 7 9700X 平台於超過 30 款遊戲進行測試。

測試結果顯示,相較於採用 JEDEC 標準規格的 DDR5 記憶體:

  • 平均 FPS 最高提升 13%

  • 1% Low 幀率最高提升 15%

  • Frame Time 表現進一步改善

  • 減少遊戲卡頓情況

AMD 指出,EXPO-ULL 對 CPU 密集型遊戲以及高刷新率遊戲環境尤其有幫助,可提升操作回應速度及整體流暢度。

不過 AMD 亦提到,由於測試平台採用 Ryzen 7 9700X,搭載 3D V-Cache 的 X3D 系列處理器可能不會獲得相同幅度的效能增長。

針對 Ryzen 平台特性設計

AMD 認為,與 Intel XMP 偏重提升記憶體頻率的方向不同,Ryzen 處理器往往能從更緊密的記憶體時序中獲得更明顯的效能提升。

因此 EXPO-ULL 的核心理念,是透過進一步優化時序設定,在不大幅提高頻率的情況下改善延遲表現,從而提升遊戲效能及系統反應速度。

多家記憶體品牌加入支援

AMD 表示,多家記憶體廠商已計劃推出通過 EXPO-ULL 認證的 DDR5 記憶體產品,包括:

  • G.SKILL

  • Kingston FURY

  • KLEVV

  • Lexar

  • TeamGroup

  • V-Color

  • XPG

  • Origin Code

首批支援 EXPO-ULL 的 DDR5 記憶體預計於 2026 年 6 月上市,主要面向採用 Zen 4、Zen 5 及後續 Ryzen 處理器的平台。

另一方面,主機板廠商亦將透過 AGESA 更新加入 EXPO-ULL 支援,因此包括 X870 與 B850 等晶片組主機板預計可在產品正式上市前完成相容性準備。

雖然相關產品預料將定位於高階市場,但 AMD 認為,對於追求更穩定遊戲體驗及更低延遲的玩家而言,EXPO-ULL 有望帶來明顯差異。

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