中國 DRAM 產能急升 全球記憶體缺貨潮或提早結束
1小時 675
全球 DRAM 記憶體供應短缺問題，未來幾年或有機會提前結束。前 Samsung Device Solutions（DS）部門主管、現任高級顧問 Kyung Khe-hyun 日前表示，中國持續加大 DRAM 投資，可能會在 2027 年下半年至 2028 年初令記憶體價格出現大幅下跌。
Kyung Khe-hyun 在韓國國家工程院（NAEK）第 285 屆論壇中指出，韓國目前仍掌握全球近 70% DRAM 市場份額，因此韓國企業必須提前準備，應對中國產能急速擴張帶來的市場衝擊。
他認為，韓國未來應該逐步轉向無晶圓廠（Fabless）系統半導體與主權 AI 發展方向。他表示，韓國很難同時在硬體與軟體領域，與美國及中國全面競爭，因此需要重新思考 AI 技術部署策略。
根據 Kyung Khe-hyun 的估計，中國 DRAM 產能最快可在 2027 年下半年提升至每月 600 萬片晶圓規模。不過他亦提醒，若 AI 投資回報率下降，企業未來可能減少相關資本支出，進而影響擴產速度。
報導指出，即使中國生產的 DRAM 未必能夠短期內進入美國市場，但中國若能滿足本土需求，仍可釋放大量全球供應，有助其他市場緩解缺貨壓力。
目前全球 DRAM 市場主要由 SK hynix、Samsung 以及 Micron Technology 三大廠商主導。近年 AI 熱潮導致高頻寬記憶體（HBM）需求暴增，加劇整體 DRAM 供應緊張情況。
早前市場普遍預期 DRAM 缺貨問題可能持續至 2030 年甚至 2035 年，如今若中國產能能在 2028 年前大幅提升，對消費者與中小型電子企業而言將是一大利好消息。